Память GDDR6 удалось разогнать до 20 Гбит/с при небольшом повышении напряжения

Экспeрты смoгли увеличить производительность памяти стандарта GDDR6 до 20 Гбит/с за счет небольшого повышения напряжения. Компания Micron представила новую исследовательскую статью, раскрывающие особенности эксплуатации этого типа плат. GDDR6 станут использовать в составе 3D-карт топового сегмента.

Организация JEDEC стандартизована скорость отправки данных на отметке в 14 Гбит/с из расчета на линейку, которая в 2 раза превышает возможности GDDR5. При этом зарегистрированное напряжение было понижено на 10%. Как отмечают исследования Micron, потенциал GDDR6 значительно шире. Не смотря на то, что GDDR6 представляет собой эволюционную версию развития GDDR5 и GDDR5X, новая архитектура получила ряд корректировок, призванных повысить пропускную способность аппаратного узла.

Эксперты Micron показали, что память GDDR6, выпущенная компанией была рассчитана на скорость не более 16,5 Гбит/с, однако в действительности способна работать заметно быстрее. Незначительное повышение напряжения в цепи питания привела к резкому росту эффективности передачи данных до 20 Гбит/с. При проецировании данного достижения на карту шиной памяти на 256 бит, пропускная способность достигает 640 ГБ/с.

Источник: АН

Читайте наши новости в Facebook